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  • BALLUFF位移传感器BTL7-S573B-M1250-CD-S32
    BALLUFF位移传感器BTL7-S573B-M1250-CD-S32

    BALLUFF位移传感器BTL7-S573B-M1250-CD-S32 压力传感器是Z为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主, 以弹性元件的形变指示压力,但这种结构尺寸大、质量重,不能提供电学输出 。随着半导体技术的发展,半导体压力传感器也应运而生。

    更新时间:2026-04-27型号:浏览量:1506
  • BALLUFF高温传感器BTL7-E500-M0125-K-SR32
    BALLUFF高温传感器BTL7-E500-M0125-K-SR32

    BALLUFF高温传感器BTL7-E500-M0125-K-SR32 巴鲁夫提供直径极小的微型传感器:3 mm,4 mm和5 mm。 紧凑型微型传感器的外壳长度仅为6 mm,是市面上Z短的感应式传感器。 无论外壳还是电缆结构都已针对提高的温度作了优化。 - 在金属领域中也一样。

    更新时间:2026-04-27型号:浏览量:1528
  • BNI0041BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02
    BNI0041BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02

    BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关; IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件 ,当偏置电流Ic固定时,Vh将*取决于被测的磁场强度B。

    更新时间:2026-04-27型号:BNI0041浏览量:1577
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