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  • BALLUFF微脉冲位移传感器BES08,0-KH-2S型号
    BALLUFF微脉冲位移传感器BES08,0-KH-2S型号

    BALLUFF微脉冲位移传感器BES08,0-KH-2S型号 微弱信号的检测、信号的滤波、放大、电压比较 、峰值检验波、电压限幅等一系列电路的设计; (3)基于单片机的高精度时间量测量。技术要求: 测量范围0~8cm,精度0.1mm。测量范围不是很 大,主要是受到实验所用波导钢丝本身长度的限制。

    更新时间:2023-12-27型号:浏览量:742
  • BALLUFF接近传感器BES516-324-G-E4-C02
    BALLUFF接近传感器BES516-324-G-E4-C02

    BALLUFF接近传感器BES516-324-G-E4-C02 还有从实际操作的安全性方便性来考虑,实际选择压力传感器的非常好。 压力传感器利用机械设备的加工技术将一些元件以及信号调节器等装置安装在一块很小的芯片上面。 所以体积小也是它的之一,除此之外,也是它的另一大。

    更新时间:2023-10-09型号:浏览量:755
  • BALLUFF位移传感器BTL7-S573B-M1250-CD-S32
    BALLUFF位移传感器BTL7-S573B-M1250-CD-S32

    BALLUFF位移传感器BTL7-S573B-M1250-CD-S32 压力传感器是Z为广泛的一种传感器。传统的压力传感器以机械结构型的器件为主, 以弹性元件的形变指示压力,但这种结构尺寸大、质量重,不能提供电学输出 。随着半导体技术的发展,半导体压力传感器也应运而生。

    更新时间:2023-10-21型号:浏览量:699
  • BALLUFF高温传感器BTL7-E500-M0125-K-SR32
    BALLUFF高温传感器BTL7-E500-M0125-K-SR32

    BALLUFF高温传感器BTL7-E500-M0125-K-SR32 巴鲁夫提供直径极小的微型传感器:3 mm,4 mm和5 mm。 紧凑型微型传感器的外壳长度仅为6 mm,是市面上Z短的感应式传感器。 无论外壳还是电缆结构都已针对提高的温度作了优化。 - 在金属领域中也一样。

    更新时间:2023-10-21型号:浏览量:772
  • BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02
    BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02

    BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02 由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关; IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件 ,当偏置电流Ic固定时,Vh将*取决于被测的磁场强度B。

    更新时间:2023-09-16型号:浏览量:760
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