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BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02

BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02

简要描述:BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02
由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;
IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件
,当偏置电流Ic固定时,Vh将*取决于被测的磁场强度B。

产品型号:

所属分类:BALLUFF传感器

更新时间:2023-09-16

厂商性质:经销商

详情介绍

BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02
BALLUFF传感器的具体工作过程为:当主回路有一电流通过时,在导线上产生的磁场被聚
磁环聚集并感应到霍尔器件上, 所产生的信号输出用于驱动相应
的功率管并使其导通,从而获得一个补偿电流Is。 这一电流再通过多匝绕组产生磁场 ,
该磁场与被测电流产生的磁场正好相反,因而补偿了原来的磁场,
使霍尔器件的输出逐渐减小。当与Ip与匝数相乘 所产生的磁场相等时,Is不再增加
,这时的霍尔器件起指示零磁通的作用 ,此时可以通过Is来平衡。
被测电流的任何变化都会破坏这一平衡。 一旦磁场失去平衡,霍尔器件就有信号输出。
经功率放大后,立即就有相应的电流流过级绕组以对失衡的磁场进行补偿。
一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端,
另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说
,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代
。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的坡莫合金;
这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下。
在半导体薄片两端通以控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场
,则在垂直于电流和磁场的方向上,将产生电势差为UH的霍尔电压。
由于通电螺线管内部存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,
故可以利用霍尔传感器测量出磁场,从而确定导线中电流的大小。
利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其是不与被测电路发生电接触,
不影响被测电路,不消耗被测电源的功率,特别适合于大电流传感。
霍尔电流传感器工作原理如图6所示,标准圆环铁芯有一个缺口,
将霍尔传感器插入缺口中,圆环上绕有线圈,当电流通过线圈时产生磁场,则霍尔传感器有信号输出。

BALLUFF传感器BES 516-3047-G-E4-C-PU-02




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