您的位置：
详情介绍
SICK漫反射光电传感器WTB8-P2231
供电电压 10 V DC ... 30 V DC 1)
残余纹波 ± 10 % 2)
电流消耗 30 mA 3)
开关量输出 PNP
开关类型 明/暗切换
开关类型可选 明通/暗通开关 可选
信号电压 PNP 高电平/低电平 约 UV - 1.8 V / 0 V
输出电流 Imax. ≤ 100 mA
响应时间 ≤ 0.5 ms 4)
开关频率 1,000 Hz 5)
连接类型 插头，M8，4 针
保护电路
A 6)
传感器原理/ 检测原理 漫反射光电传感器, 背景抑制功能
尺寸(宽 x 高 x 深) 11 mm x 31 mm x 20 mm
外壳形状（光束出口） 方形
大开关距离 30 mm ... 300 mm 1)
感应距离 40 mm ... 300 mm 1)
光源种类 可见红光
光源 LED 2)
光点尺寸（距离） Ø 20 mm (300 mm)
轴长 650 nm
设置 电位计，4 圈
光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。 [2]
1040766 IME12-04BPSZW2S.
1040767 IME12-04BPOZC0K.
1040768 IME12-04BPOZC0S.
1040769 IME12-04BPOZW2K.
1040770 IME12-04BPOZW2S.
1040773 IME12-04BNSZW2K.
1040774 IME12-04BNSZW2S.
1040775 IME12-04BNOZC0K.
1040776 IME12-04BNOZC0S.
1040777 IME12-04BNOZW2K.
1040778 IME12-04BNOZW2S.
1040781 IME12-08NPSZW2K.
1040782 IME12-08NPSZW2S.
1040783 IME12-08NPOZC0K.
1040784 IME12-08NPOZC0S.
1040785 IME12-08NPOZW2K.
SICK漫反射光电传感器WTB8-P2231
留言询价
销售部