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德IFM超声波传感器易福门OBF501技术资料

德IFM超声波传感器易福门OBF501技术资料

简要描述:德IFM超声波传感器易福门OBF501技术资料
SIO模式是必需的mater port typeA
EN 60068-2-6 Fc(10-55) Hz 1毫米的幅度,
外形Smart Sensor: Process Data Variable; Device Identification
EN 61000-4-3 HF电磁场辐射3 V/m

产品型号:

所属分类:易福门IFM传感器

更新时间:2024-11-12

厂商性质:经销商

详情介绍

德IFM超声波传感器易福门OBF501技术资料
   迟滞 [%]< 1传递类型COM2 (38,4 kBaud)
   反相保护是转换频率 [kHz]200输出
   电流损耗 [mA]< 35防护等级III
   环境温度 [°C]-20...70外壳防护等级IP 67
   工作电压 [V]10...30 DC; (符合cULus - Class 2标准)
   开关量输出DC的持续电流负载 [mA]100
   抗冲击EN 60068-2-27 Ea是
   通信接口IO-LinkIO-Link revision1.1
   盲区 [mm]80圆柱形孔径角 [°]±8精度/偏差温度补偿是
   EN 61000-4-6 射频场感应的传导抗扰度3 V
   开机延迟时间 [s]0.1
   电气设计PNP感应距离 [mm]80...1200
   振荡时间5分钟,每轴共振时30分钟或55赫兹
   SDCI标准IEC 61131-9处理周期Z小值 [ms]16工作条件
   开关量输出DC电压降Z大值 [V]2.2开关频率DC [Hz]5
  短路保护是过载保护是监控范围
   模拟输出的线性误差 [%]≤ 1
   90°角度传感器/目标的偏差Z大值 [°]± 4
   接口认证/测试EMC电磁兼容8 kV AD / 金属
   SIO模式是必需的mater port typeA
   EN 60068-2-6 Fc(10-55) Hz 1毫米的幅度,
   外形Smart Sensor: Process Data Variable; Device Identification
   EN 61000-4-3 HF电磁场辐射3 V/m
   IO-Link Device ID888 d / 00 03 78 h
   注释预热时间≥20分钟后达到指示值。检测范围滞后 [mm]< 1
   EN 61000-4-4 Burst2 kVEN 55011等级A抗振强度
   EN 61000-4-2 ESD4 kV CD / 塑料
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